不知道大伙是否还记得自己的第一个固态硬盘有多大?自1991年闪迪发售第一款商用SSD开始，商用固态硬盘的发展已经在不知不觉间超过了30年。

每次谈起固态硬盘，总难免要说到颗粒、主控的内容，我们很容易掉进“唯颗粒论”的怪圈，却忽视了这些年来相关技术的发展。

实际上随着主控与颗粒技术的不断进化，固态硬盘产品早已实现了精细化场景分类，下面我们就从闪存、闪存类型、主控这几个方面来聊聊固态硬盘这些年有哪些改变。

闪存颗粒“超进化”：从2DNAND到3DNAND

聊起固态硬盘就有个无法绕开的话题坎，那就是玩家们经常讨论到“颗粒”。

资深的玩家们应该知道，固态硬盘经常被讨论到的芯片包括主控、闪存和DRAM，而关于颗粒的讨论恰恰又是最高的那个。

目前被广泛讨论的闪存颗粒其实属于NAND闪存，该类型的闪存自2009年出现在固态硬盘上至今，已经被广泛应用到我们日常使用的个人电脑上。

NAND闪存的工作方式有个特点，就是如果我们要给已经写入数据的闪存再写入数据，需要先把它的数据擦除，才能重新写入。

随着被擦出和写入的次数增多，NAND闪存会有耗损，这也是固态硬盘寿命用“擦写次数”来形容的原因。

早期的NAND闪存都是铺设在平面上的，被称作“2DNAND”。

举个不太恰当的例子，就像咱们设计停车场的停车位一样，这个停车场能容纳的车位都是有限的，为了应对越来越大的停车(数据存储)需求，那只好做多层的停车场，一层不够那就做二层甚至三层。

在2DNAND时代，厂商为了尽量利用好有限的面积只有不断用新工艺，但随着串扰等问题导致闪存颗粒不再能单纯依靠工艺进步带来提升，东芝和三星开始押注3DNAND(三星将其称作V-NAND)。

NAND闪存也同理，“2DNAND”的容量是有限的，那就做“3DNAND”，目前镁光已经实现了176层NAND量产，闪存密度以及成本压缩达到了空前高度。

在不久的未来，192层NAND也即将量产，届时更高容量、成本更低的固态硬盘有望诞生。

商用闪存类型多样化在争议声中成长的闪存类型：从SLC到QLC

根据工作原理，其数据储存在半导体单元内，其中已经被广泛商用的类型主要有四种，分别是SLC、MLC、TLC、QLC，其中SLC属于1bit/cell，MLC属于2bit/cell，TLC属于3bit/cell，QLC属于4bit/cell。

这个数值的意思是每个储存单元的数据，比如SLC一个单元只有一位数据，单个储存单元内的数据位数越多，就要求主控控制的精度越高。

因此SLC颗粒的耐用度P/E(寿命)、速度以及成本都是各类型中最高的，这些参数随着单元内数据的增加而减少，从MLC到TCL再到QLC，未来甚至还有5bit/cell的PLC成为商用产品。

通过数据对比知道，SLCNAND闪存的擦写次数在10000次以上，MLCNAND闪存的擦写次数在3000-10000之间，TLC闪存的擦写次数在1000-3000之间，QLCNAND闪存的擦写次数在1000次以内。

在目前固态硬盘的应用场景中，使用纯SLCNAND闪存的固态硬盘基本面向军用或者商用了。

而MLC则大多以高端消费级产品和商用产品为主，应付咱们日常使用需求的固态硬盘，TLCNAND足矣，至于QLCNAND闪存的固态硬盘嘛，优点是容量足够大，寿命的短板也可以被部分弥补。

就拿三星为例，他家的固态硬盘就涵盖了这四种闪存类型，各自的代表分别为采用MLC3DNAND的三星970Pro、采用TLC3DNAND的三星980/三星860EVO以及采用QLC3DNAND的三星860QVO。

在聊到闪存类型的时候，玩家们常常“意难平”于消费级MLC闪存产品逐渐转向商用，TLC闪存和QLC闪存开始成为消费级主流。

这个过程的确一直以来都备受争议，但不可否认的是，消费者如今能用更少的钱买到容量更大，性能更高的固态硬盘产品。

主控芯片大升级：从技术完善，读写速度暴增几十倍

厂商能放心地使用理论寿命更低的TLC和QLC闪存，原因是主控芯片愈发强大，我们能看到大多数固态硬盘参数都离不开主控，比如读写速度快慢、接口协议、TRIM支持、磨损平衡以及垃圾回收机制等。